12月22日消息，韩国两大存储芯片巨头三星电子与SK海力士均启动内存芯片产能加速计划，核心目标是满足人工智能（AI）领域爆发式增长的存储需求。随着全球AI模型训练、推理及数据中心运算对高带宽、低延迟存储的需求激增，两家企业正通过提升现有产线利用率、新建先进产能等方式，强化AI存储产品的供给能力，抢占AI技术迭代带来的市场红利。

AI技术的普及对存储芯片提出了本质性要求。AI模型在训练阶段需要处理PB级海量数据，推理阶段则要求数据在算力芯片与存储之间快速传输以实现实时响应，传统DRAM的带宽已难以适配GPU、TPU等算力芯片的高算力输出。高带宽内存（HBM）作为解决这一矛盾的关键产品，通过3D堆叠技术将多颗DRAM芯片垂直集成，带宽较传统DDR5 DRAM提升3-5倍，且功耗降低40%以上，成为AI服务器、高端GPU等硬件的标准配套组件。全球AI芯片龙头企业如英伟达H100、AMD MI300等最新算力产品，均将HBM作为核心配置，进一步推高了市场对高端存储的需求优先级。

三星电子的产能扩张聚焦“现有产线优化+长期产能储备”双路径。据企业公开信息，三星近期已提升韩国国内DRAM及NAND闪存产线的利用率至85%以上（此前因消费电子需求低迷曾降至70%左右），并将其中30%的产能转向HBM等AI导向产品；同时，三星11月宣布恢复平泽五厂的施工计划——这座位于京畿道平泽市的12英寸晶圆厂最初因2023年存储市场低迷暂停建设，此次重启后将采用10纳米级先进制程生产DRAM及HBM3E/4芯片，预计2028年实现量产，月产能可达4万片晶圆，能满足约10万台高端AI服务器的存储需求。

作为全球HBM市场的早期布局者，三星的HBM产能扩张更具针对性。2024年三星HBM出货量占全球市场份额约40%，其HBM3E产品已通过英伟达、AMD等客户的认证，应用于最新一代AI服务器。此次平泽五厂的恢复建设，将进一步巩固三星在HBM领域的技术与产能优势，应对美光、SK海力士等厂商的竞争——美光科技近期也宣布投资100亿美元扩建HBM产能，计划2026年HBM出货量增长3倍。

SK海力士的产能动作更强调“快速响应需求”。该公司位于清州的M15X新厂已完成主体建设，目前正在安装生产设备，预计2025年下半年正式投产。这座新厂聚焦AI导向的DRAM及HBM产品，初期月产能约2万片12英寸晶圆，主要生产HBM3E及AI专用DRAM——后者针对AI数据中心的多线程运算优化，延迟较普通DRAM降低20%，能支持大规模并行计算任务。

除清州项目外，SK海力士还计划提前推进龙仁半导体园区的首座晶圆厂建设。该园区位于京畿道龙仁市，原计划2028年完成首座晶圆厂建设，但为应对AI需求的提前爆发，公司已将工期缩短至2027年前。这座晶圆厂的规模相当于6座M15X厂，月产能可达12万片12英寸晶圆，建成后将成为全球最大的AI存储芯片生产基地之一，覆盖从基础DRAM到高端HBM的全系列AI存储产品。SK海力士高层表示：“龙仁厂的提前建设是为了抓住2027年前后AI市场的爆发窗口，确保我们在需求峰值时具备足够的产能储备。”

两家企业的产能扩张均基于对市场趋势的判断。全球市场调研机构Omdia的数据显示，2024年全球DRAM市场规模约1000亿美元，其中AI相关需求占比约15%；预计到2026年，全球DRAM市场规模将增长至1700亿美元，AI需求占比将提升至30%，年复合增长率达28%。这一增长的核心动力来自AI服务器的出货量激增——Omdia预测2024-2026年全球AI服务器出货量将以55%的年复合增长率增长，每台AI服务器的存储容量将从2024年的1TB提升至2026年的2.5TB，其中HBM的占比将从15%升至30%。

值得注意的是，此次产能扩张也是两家企业应对市场周期反转的关键举措。2022-2023年，全球存储芯片市场因消费电子需求疲软陷入产能过剩，DRAM价格曾下跌60%以上；但2024年以来，AI需求的崛起推动市场快速复苏，DRAM价格自第二季度起连续上涨，截至11月累计涨幅达35%，NAND闪存也因AI数据存储需求出现10%的价格回升。三星与SK海力士作为全球DRAM市场的主导者（2024年合计占全球DRAM市场份额约75%），正通过聚焦AI高端存储，将业务重心从低附加值的消费电子转向高毛利的AI领域，实现业务结构升级。

SK海力士的清州M15X厂更注重技术与需求的匹配。该厂将采用“柔性生产”模式，可根据市场需求调整DRAM与HBM的产能分配——当AI需求增长超预期时，可将60%的产能转向HBM；若消费电子需求复苏，则可灵活调整至传统DRAM。这种模式既降低了产能过剩风险，又能快速响应AI市场的变化。而龙仁晶圆厂的提前建设，则是SK海力士针对2027年AI市场爆发的“前置布局”——据Omdia预测，2027年全球AI服务器出货量将达120万台，需要至少300万片HBM芯片，龙仁厂的产能将覆盖其中20%的需求。

面对AI存储的高增长机遇，全球存储芯片厂商均在加速布局。除美光科技外，日本铠侠也在研发基于3D NAND的“AI专用存储”，以满足数据中心的大容量冷存储需求；英特尔则推出了CXL（Compute Express Link）技术，通过高速互连协议提升存储与算力的协同效率。在此背景下，三星与SK海力士的产能扩张不仅是应对AI需求的举措，更是巩固其全球存储芯片龙头地位的关键——凭借在DRAM、HBM领域的技术积累及产能规模，两家企业有望在AI存储市场占据50%以上的份额，推动韩国存储芯片产业从“规模主导”转向“技术+规模双主导”。

责任编辑：黑白